NSVBAS21SLT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NSVBAS21SLT1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23
Livret des spécifications:	NSVBAS21SLT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1046629 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1046629 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $0.028

6000 pcs: $0.025

15000 pcs: $0.022

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Spécifications de NSVBAS21SLT1G

Modèle de produit	NSVBAS21SLT1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1046629 pcs	Fiche technique	NSVBAS21SLT1G.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.25V @ 200mA	Tension - inverse (Vr) (max)	250V
Package composant fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)	La vitesse	Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	50ns
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms	NSVBAS21SLT1G-ND NSVBAS21SLT1GOSTR	Température d'utilisation - Jonction	-55°C ~ 150°C
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type de diode	Standard
Description détaillée	Diode Standard 250V 225mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Courant - fuite, inverse à Vr	100µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	225mA (DC)	Capacité à Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz

Mode de transport
Après vente
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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX	www.FedEx.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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