NSVDTC123JM3T5G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NSVDTC123JM3T5G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	SOT-723 BIAS RESISTOR
Livret des spécifications:	NSVDTC123JM3T5G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1686185 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1686185 pcs

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Spécifications de NSVDTC123JM3T5G

Modèle de produit	NSVDTC123JM3T5G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	SOT-723 BIAS RESISTOR	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1686185 pcs	Fiche technique	NSVDTC123JM3T5G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SOT-723
Séries	Automotive, AEC-Q101	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms	Puissance - Max	260mW
Package / Boîte	SOT-723	Type de montage	Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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