NSVMUN5131T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NSVMUN5131T1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70
Livret des spécifications:	NSVMUN5131T1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1605317 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1605317 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de NSVMUN5131T1G

Modèle de produit	NSVMUN5131T1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1605317 pcs	Fiche technique	NSVMUN5131T1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SC-70-3 (SOT323)
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	2.2 kOhms
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms	Puissance - Max	202mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SC-70, SOT-323
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	8 @ 5mA, 10V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
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