NTB082N65S3F

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTB082N65S3F
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Livret des spécifications:	NTB082N65S3F.pdf
Etat du stock	11677 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11677 pcs

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Spécifications de NTB082N65S3F

Modèle de produit	NTB082N65S3F	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	SUPERFET3 650V D2PAK PKG	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	11677 pcs	Fiche technique	NTB082N65S3F.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D²PAK (TO-263)
Séries	SuperFET® III	Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	313W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	NTB082N65S3FOSCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb	Lead free
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3410pF @ 400V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 40A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	40A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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