NTB6413ANT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTB6413ANT4G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Livret des spécifications:	NTB6413ANT4G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	42839 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 42839 pcs

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Spécifications de NTB6413ANT4G

Modèle de produit	NTB6413ANT4G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	42839 pcs	Fiche technique	NTB6413ANT4G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D2PAK
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 42A, 10V
Dissipation de puissance (max)	136W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	NTB6413ANT4GOSCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 42A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	42A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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