NTD23N03R

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTD23N03R
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
Livret des spécifications:	NTD23N03R.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	3009 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3009 pcs

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Spécifications de NTD23N03R

Modèle de produit	NTD23N03R	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	3009 pcs	Fiche technique	NTD23N03R.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.14W (Ta), 22.3W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.76nC @ 4.5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 5V
Tension drain-source (Vdss)	25V	Description détaillée	N-Channel 25V 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.8A (Ta), 17.1A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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