NTD5413NT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTD5413NT4G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Livret des spécifications:	NTD5413NT4G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5176 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5176 pcs

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Spécifications de NTD5413NT4G

Modèle de produit	NTD5413NT4G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 60V 30A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5176 pcs	Fiche technique	NTD5413NT4G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	68W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1725pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	N-Channel 60V 30A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	30A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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