NTD60N02RT4

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTD60N02RT4
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
Livret des spécifications:	NTD60N02RT4.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	5743 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5743 pcs

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Spécifications de NTD60N02RT4

Modèle de produit	NTD60N02RT4	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	5743 pcs	Fiche technique	NTD60N02RT4.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.25W (Ta), 58W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	NTD60N02RT4OSCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 20V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	25V
Description détaillée	N-Channel 25V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Surface Mount DPAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8.5A (Ta), 32A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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