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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modèle de produit | NTF3055-100T1G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 364215 pcs | Fiche technique | NTF3055-100T1G.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | SOT-223 (TO-261) |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.3W (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA | Autres noms | NTF3055-100T1GOS NTF3055-100T1GOS-ND NTF3055-100T1GOSTR NTF3055100T1G |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | N-Channel 60V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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