| Modèle de produit | NTHS2101PT1G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 2868 pcs | Fiche technique | NTHS2101PT1G.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | ChipFET™ |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.3W (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead | Autres noms | NTHS2101PT1GOS NTHS2101PT1GOS-ND NTHS2101PT1GOSTR |
| Température de fonctionnement | - | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 6.4V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 8V |
| Description détaillée | P-Channel 8V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™ | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.4A (Tj) |
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|---|---|---|
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