NTLJF3118NTAG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTLJF3118NTAG
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
Livret des spécifications:	NTLJF3118NTAG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6076 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6076 pcs

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Spécifications de NTLJF3118NTAG

Modèle de produit	NTLJF3118NTAG	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6076 pcs	Fiche technique	NTLJF3118NTAG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	6-WDFN (2x2)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	6-WDFN Exposed Pad	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	271pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.7nC @ 4.5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	Schottky Diode (Isolated)	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)	20V	Description détaillée	N-Channel 20V 2.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.6A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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