NTLJS3113PT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTLJS3113PT1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
Livret des spécifications:	NTLJS3113PT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	387620 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 387620 pcs

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Spécifications de NTLJS3113PT1G

Modèle de produit	NTLJS3113PT1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	387620 pcs	Fiche technique	NTLJS3113PT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	6-WDFN (2x2)
Séries	µCool™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	6-WDFN Exposed Pad	Autres noms	NTLJS3113PT1G-ND NTLJS3113PT1GOSTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1329pF @ 16V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	15.7nC @ 4.5V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	P-Channel 20V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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