NTMD4184PFR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTMD4184PFR2G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Livret des spécifications:	NTMD4184PFR2G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	104030 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 104030 pcs

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Spécifications de NTMD4184PFR2G

Modèle de produit	NTMD4184PFR2G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	104030 pcs	Fiche technique	NTMD4184PFR2G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SOIC
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)	770mW (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	NTMD4184PFR2GOSCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 4.5V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	P-Channel 30V 2.3A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.3A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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