NTMFS4835NT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTMFS4835NT3G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 12A SO-8FL
Livret des spécifications:	NTMFS4835NT3G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3754 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3754 pcs

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Spécifications de NTMFS4835NT3G

Modèle de produit	NTMFS4835NT3G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 12A SO-8FL	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3754 pcs	Fiche technique	NTMFS4835NT3G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)	890mW (Ta), 62.5W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerTDFN, 5 Leads	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 11.5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 11.5V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 13A (Ta), 130A (Tc) 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	13A (Ta), 130A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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