NTMFS4H02NT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTMFS4H02NT3G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
Livret des spécifications:	NTMFS4H02NT3G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	48322 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 48322 pcs

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Spécifications de NTMFS4H02NT3G

Modèle de produit	NTMFS4H02NT3G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	48322 pcs	Fiche technique	NTMFS4H02NT3G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.13W (Ta), 83W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerTDFN	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2651pF @ 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	38.5nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	25V	Description détaillée	N-Channel 25V 37A (Ta), 193A (Tc) 3.13W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	37A (Ta), 193A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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