NTMFS6B03NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTMFS6B03NT1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
Livret des spécifications:	NTMFS6B03NT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	21974 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21974 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1500 pcs: $1.411

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Spécifications de NTMFS6B03NT1G

Modèle de produit	NTMFS6B03NT1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	21974 pcs	Fiche technique	NTMFS6B03NT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.4W (Ta), 165W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerTDFN	Autres noms	NTMFS6B03NT1GOSTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4200pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 19A (Ta), 132A (Tc) 3.4W (Ta), 165W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	19A (Ta), 132A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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