NTMS4101PR2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTMS4101PR2
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
Livret des spécifications:	NTMS4101PR2.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	271227 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 271227 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de NTMS4101PR2

Modèle de produit	NTMS4101PR2	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	271227 pcs	Fiche technique	NTMS4101PR2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SOIC
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	1.38W (Tj)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	NTMS4101PR2OS
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 4.5V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	P-Channel 20V 6.9A (Ta) 1.38W (Tj) Surface Mount 8-SOIC	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6.9A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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