NTNS3164NZT5G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTNS3164NZT5G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883
Livret des spécifications:	NTNS3164NZT5G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	234587 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 234587 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.162

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Spécifications de NTNS3164NZT5G

Modèle de produit	NTNS3164NZT5G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	234587 pcs	Fiche technique	NTNS3164NZT5G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 200mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	155mW (Ta)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	SC-101, SOT-883	Autres noms	NTNS3164NZT5GOSDKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	24pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	N-Channel 20V 361mA (Ta) 155mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	361mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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