NTP125N02RG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTP125N02RG
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB
Livret des spécifications:	NTP125N02RG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4881 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4881 pcs

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Spécifications de NTP125N02RG

Modèle de produit	NTP125N02RG	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4881 pcs	Fiche technique	NTP125N02RG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220AB
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.98W (Ta), 113.6W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	NTP125N02RGOS
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3440pF @ 20V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	24V
Description détaillée	N-Channel 24V 15.9A (Ta) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Through Hole TO-220AB	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	15.9A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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