NTP60N06

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTP60N06
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Livret des spécifications:	NTP60N06.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	6305 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6305 pcs

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Spécifications de NTP60N06

Modèle de produit	NTP60N06	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	6305 pcs	Fiche technique	NTP60N06.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220AB
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.4W (Ta), 150W (Tj)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	NTP60N06OS
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3220pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	60V
Description détaillée	N-Channel 60V 60A (Ta) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Through Hole TO-220AB	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	60A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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