NTTFS4800NTWG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTTFS4800NTWG
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN
Livret des spécifications:	NTTFS4800NTWG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3042 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3042 pcs

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Spécifications de NTTFS4800NTWG

Modèle de produit	NTTFS4800NTWG	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3042 pcs	Fiche technique	NTTFS4800NTWG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-WDFN (3.3x3.3)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	860mW (Ta), 33.8W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerWDFN	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	964pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	16.6nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 11.5V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 5A (Ta), 32A (Tc) 860mW (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5A (Ta), 32A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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