NVATS5A302PLZT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NVATS5A302PLZT4G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK
Livret des spécifications:	NVATS5A302PLZT4G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	74807 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 74807 pcs

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Spécifications de NVATS5A302PLZT4G

Modèle de produit	NVATS5A302PLZT4G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	74807 pcs	Fiche technique	NVATS5A302PLZT4G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	ATPAK
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 35A, 10V
Dissipation de puissance (max)	84W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5400pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	115nC @ 10V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	P-Channel 60V 80A (Ta) 84W (Tc) Surface Mount ATPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	80A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX	www.FedEx.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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