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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modèle de produit | NVD5863NLT4G-VF01 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 60293 pcs | Fiche technique | NVD5863NLT4G-VF01.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | DPAK |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 41A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta), 96W (Tc) | Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Autres noms | NVD5863NLT4G-VF01DKR NVD5863NLT4G-VF01DKR-ND NVD5863NLT4GOSDKR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3850pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | N-Channel 60V 14.9A (Ta), 82A (Tc) 3.1W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DPAK | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 14.9A (Ta), 82A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
