NVF2955PT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NVF2955PT1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
Livret des spécifications:	NVF2955PT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5253 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5253 pcs

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Spécifications de NVF2955PT1G

Modèle de produit	NVF2955PT1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5253 pcs	Fiche technique	NVF2955PT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-223
Séries	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	185 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-261-4, TO-261AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	492pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14.3nC @ 10V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	P-Channel 60V 1.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.7A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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