NVMFS5830NLT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NVMFS5830NLT1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
Livret des spécifications:	NVMFS5830NLT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	41552 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 41552 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.811

10 pcs: $0.733

100 pcs: $0.589

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Spécifications de NVMFS5830NLT1G

Modèle de produit	NVMFS5830NLT1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	41552 pcs	Fiche technique	NVMFS5830NLT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 158W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	8-PowerTDFN	Autres noms	NVMFS5830NLT1GOSDKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5880pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	113nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	40V
Description détaillée	N-Channel 40V 29A (Ta) 3.8W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	29A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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