NVTFS4C13NWFTWG

ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NVTFS4C13NWFTWG
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 40A U8FL
Livret des spécifications:	NVTFS4C13NWFTWG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	251016 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 251016 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de NVTFS4C13NWFTWG

Modèle de produit	NVTFS4C13NWFTWG	Fabricant	ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 40A U8FL	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	251016 pcs	Fiche technique	NVTFS4C13NWFTWG.pdf
Tension - Test	770pF @ 15V	Tension - Ventilation	8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs (th) (Max) @ Id	9.4 mOhm @ 30A, 10V	La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Séries	-	État RoHS	Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14A (Ta)	Polarisation	8-PowerWDFN
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	NVTFS4C13NWFTWG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	15.2nC @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.1V @ 250µA
Fonction FET	N-Channel	Description élargie	N-Channel 30V 14A (Ta) 3W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Tension drain-source (Vdss)	-	La description	MOSFET N-CH 30V 40A U8FL
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	30V	Ratio de capacité	3W (Ta), 26W (Tc)

Mode de transport
Après vente
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