NVTFS5C658NLTAG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NVTFS5C658NLTAG
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
Livret des spécifications:	NVTFS5C658NLTAG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	176401 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 176401 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de NVTFS5C658NLTAG

Modèle de produit	NVTFS5C658NLTAG	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	176401 pcs	Fiche technique	NVTFS5C658NLTAG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-WDFN (3.3x3.3)
Séries	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max)	114W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerWDFN	Autres noms	NVTFS5C658NLTAGOSTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1935pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	60V
Description détaillée	N-Channel 60V 109A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	109A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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