NXH80B120H2Q0SG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NXH80B120H2Q0SG
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Livret des spécifications:	NXH80B120H2Q0SG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1295 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1295 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $28.558

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Spécifications de NXH80B120H2Q0SG

Modèle de produit	NXH80B120H2Q0SG	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	PIM 1200V, 40A DUAL BOOST	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1295 pcs	Fiche technique	NXH80B120H2Q0SG.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	1200V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 40A
Package composant fournisseur	20-PIM/Q0PACK (55x32.5)	Séries	-
Puissance - Max	103W	Package / Boîte	Module
Autres noms	NXH80B120H2Q0SG-ND NXH80B120H2Q0SGOS	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance	Yes	Type de montage	Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	Not Applicable	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	9.7nF @ 25V	Contribution	Standard
type de IGBT	-	Description détaillée	IGBT Module Dual Boost Chopper 1200V 41A 103W Chassis Mount 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	200µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	41A
Configuration	Dual Boost Chopper

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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