SMMUN2116LT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SMMUN2116LT3G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23
Livret des spécifications:	SMMUN2116LT3G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1461111 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1461111 pcs

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Spécifications de SMMUN2116LT3G

Modèle de produit	SMMUN2116LT3G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1461111 pcs	Fiche technique	SMMUN2116LT3G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Séries	-	Résistance - Base (R1)	4.7 kOhms
Puissance - Max	246mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA
Numéro de pièce de base	MMUN21**L

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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