SSP45N20B_FP001

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SSP45N20B_FP001
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 35A TO-220
Livret des spécifications:	1.SSP45N20B_FP001.pdf 2.SSP45N20B_FP001.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6129 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6129 pcs

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Spécifications de SSP45N20B_FP001

Modèle de produit	SSP45N20B_FP001	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 200V 35A TO-220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6129 pcs	Fiche technique	1.SSP45N20B_FP001.pdf 2.SSP45N20B_FP001.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 17.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	176W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	173nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	200V	Description détaillée	N-Channel 200V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	35A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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