WPH4003-1E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	WPH4003-1E
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 1700V 2.5A
Livret des spécifications:	WPH4003-1E.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	15691 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15691 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.206

30 pcs: $1.772

120 pcs: $1.615

510 pcs: $1.307

1020 pcs: $1.103

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Spécifications de WPH4003-1E

Modèle de produit	WPH4003-1E	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 1700V 2.5A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	15691 pcs	Fiche technique	WPH4003-1E.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-3PF
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3W (Ta), 55W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-3P-3 Full Pack	Autres noms	WPH4003-1EOS
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 30V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	1700V
Description détaillée	N-Channel 1700V 2.5A (Tc) 3W (Ta), 55W (Tc) Through Hole TO-3PF	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.5A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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