AOB412L

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Présentation du produit

Modèle de produit:	AOB412L
Fabricant / marque:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3163 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3163 pcs

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Spécifications de AOB412L

Modèle de produit	AOB412L	Fabricant	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description	MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3163 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-263 (D²Pak)
Séries	SDMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.6W (Ta), 150W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3220pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	7V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 8.2A (Ta), 60A (Tc) 2.6W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8.2A (Ta), 60A (Tc)

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Après vente
Livret des spécifications

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