AOD11S60

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Présentation du produit

Modèle de produit:	AOD11S60
Fabricant / marque:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Livret des spécifications:	1.AOD11S60.pdf 2.AOD11S60.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	38965 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38965 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.773

10 pcs: $0.699

100 pcs: $0.562

500 pcs: $0.437

1000 pcs: $0.362

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Spécifications de AOD11S60

Modèle de produit	AOD11S60	Fabricant	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description	MOSFET N-CH 600V 11A TO252	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	38965 pcs	Fiche technique	1.AOD11S60.pdf 2.AOD11S60.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-252, (D-Pak)
Séries	aMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	399 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)	208W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	785-1264-1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	545pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 11A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	11A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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