AOH3110

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Présentation du produit

Modèle de produit:	AOH3110
Fabricant / marque:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
Livret des spécifications:	1.AOH3110.pdf 2.AOH3110.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	2740 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2740 pcs

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Spécifications de AOH3110

Modèle de produit	AOH3110	Fabricant	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description	MOSFET N-CH 100V 1A SOT223	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	2740 pcs	Fiche technique	1.AOH3110.pdf 2.AOH3110.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.9V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-223
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 900mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-261-4, TO-261AA	Autres noms	785-1486-1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 1A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1A (Ta)

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Après vente
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