AOI4S60

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Présentation du produit

Modèle de produit:	AOI4S60
Fabricant / marque:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
Livret des spécifications:	1.AOI4S60.pdf 2.AOI4S60.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	149616 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 149616 pcs

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Spécifications de AOI4S60

Modèle de produit	AOI4S60	Fabricant	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description	MOSFET N-CH 600V 4A TO251A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	149616 pcs	Fiche technique	1.AOI4S60.pdf 2.AOI4S60.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-251A
Séries	aMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)	56.8W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Stub Leads, IPak	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	263pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 4A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251A
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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