AOU3N50

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Présentation du produit

Modèle de produit:	AOU3N50
Fabricant / marque:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Description du produit	MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK
Livret des spécifications:	1.AOU3N50.pdf 2.AOU3N50.pdf 3.AOU3N50.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	127141 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 127141 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.277

10 pcs: $0.233

100 pcs: $0.174

500 pcs: $0.128

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Spécifications de AOU3N50

Modèle de produit	AOU3N50	Fabricant	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description	MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	127141 pcs	Fiche technique	1.AOU3N50.pdf 2.AOU3N50.pdf 3.AOU3N50.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-251-3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	57W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Autres noms	785-1176-5
Température de fonctionnement	-50°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	331pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	500V
Description détaillée	N-Channel 500V 2.8A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-251-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.8A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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