CSICD10-1200 TR13

Central Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	CSICD10-1200 TR13
Fabricant / marque:	Central Semiconductor
Description du produit	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A DPAK
Livret des spécifications:	CSICD10-1200 TR13.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	10678 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10678 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

2500 pcs: $3.117

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Spécifications de CSICD10-1200 TR13

Modèle de produit	CSICD10-1200 TR13	Fabricant	Central Semiconductor
La description	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	10678 pcs	Fiche technique	CSICD10-1200 TR13.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.7V @ 10A	Tension - inverse (Vr) (max)	1200V
Package composant fournisseur	DPAK	La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	0ns
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms	CSICD10-1200 TR13 PBFREE CSICD10-1200 TR13 PBFREETR CSICD10-1200 TR13 PBFREETR-ND CSICD10-1200 TR13TR CSICD10-1200 TR13TR-ND CSICD10-1200TR13PBFREETR CSICD10-1200TR13PBFREETR-ND CSICD10-1200TR13TR	Température d'utilisation - Jonction	-55°C ~ 175°C
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Description détaillée	Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A Surface Mount DPAK	Courant - fuite, inverse à Vr	250µA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	10A	Capacité à Vr, F	500pF @ 1V, 1MHz

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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