| Modèle de produit | CWDM3011P TR13 | Fabricant | Central Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 226894 pcs | Fiche technique | CWDM3011P TR13.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | 20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 8-SOIC |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Autres noms | CWDM3011P TR-ND CWDM3011P TR13 LEAD FREE CWDM3011P TR13 PBFREE CWDM3011PTR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 8V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | P-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta) |
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|---|---|---|
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