CYD18S18V18-200BBAXI

Cypress Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	CYD18S18V18-200BBAXI
Fabricant / marque:	Cypress Semiconductor
Description du produit	IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
Livret des spécifications:	CYD18S18V18-200BBAXI.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5905 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5905 pcs

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Spécifications de CYD18S18V18-200BBAXI

Modèle de produit	CYD18S18V18-200BBAXI	Fabricant	Cypress Semiconductor
La description	IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5905 pcs	Fiche technique	CYD18S18V18-200BBAXI.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page	-	Tension - Alimentation	1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
La technologie	SRAM - Dual Port, Synchronous	Package composant fournisseur	256-FBGA (17x17)
Séries	-	Emballage	Tray
Package / Boîte	256-LBGA	Autres noms	428-3290 CYD18S18V18-200BBAXI-ND CYD18S18V18200BBAXI
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Type de mémoire	Volatile
Taille mémoire	18Mb (1M x 18)	Interface mémoire	Parallel
Format de mémoire	SRAM	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17)	Fréquence d'horloge	200MHz
Numéro de pièce de base	CYD18S18	Temps d'accès	3.3ns

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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