Choisissez votre pays ou région.

Close
Se connecter S'inscrire Email:Info@infinity-electronic.com
0 Item(s)

1N4448HWS-7

Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
Diodes Incorporated
L'image peut être une représentation. Voir les spécifications pour les détails du produit.

Présentation du produit

Modèle de produit: 1N4448HWS-7
Fabricant / marque: Diodes Incorporated
Description du produit DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
Livret des spécifications: 1N4448HWS-7.pdf
État RoHS Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock 5170 pcs stock
Bateau de Hong Kong
Manière d'expédition DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5170 pcs
Demander une offre en ligne
Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur " SOUMETTRE la demande de devis ". Nous vous contacterons sous peu par courrier électronique. Ou écrivez-nous:Info@infinity-electronic.com
  • Prix cible:(USD)
  • Qté:

S'il vous plaît nous donner votre prix cible si des quantités supérieures à celles affichées.

  • Modèle de produit
  • Raison sociale
  • Nom du contact
  • Email
  • Message

Spécifications de 1N4448HWS-7

Modèle de produit 1N4448HWS-7 Fabricant Diodes Incorporated
La description DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323 État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible 5170 pcs Fiche technique 1N4448HWS-7.pdf
Tension - Inverse de crête (max) Standard Tension - directe (Vf) (max) @ Si 250mA
Tension - Ventilation SOD-323 Séries -
État RoHS Tape & Reel (TR) Temps de recouvrement inverse (trr) Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F 3.5pF @ 0V, 1MHz Polarisation SC-76, SOD-323
Autres noms 1N4448HWSDITR
1N4448HWSTR
1N4448HWSTR-ND
Température d'utilisation - Jonction 4ns
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant 1N4448HWS-7 Description élargie Diode Standard 80V 250mA Surface Mount SOD-323
Configuration diode 100nA @ 80V La description DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
Courant - fuite, inverse à Vr 1.25V @ 150mA Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 80V
Capacité à Vr, F -65°C ~ 150°C

Mode de transport

★ LIVRAISON GRATUITE VIA DHL / FEDEX / UPS SI LE MONTANT DE LA COMMANDE EST SUPÉRIEUR À 1 000 USD.
(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX www.FedEx.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL www.DHL.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
UPS www.UPS.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT www.TNT.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.

★ Le délai de livraison nécessitera 2 à 4 jours pour la plupart des pays du monde entier par DHL / UPS / FEDEX / TNT.

N'hésitez pas à nous contacter si vous avez des questions sur l'envoi. Envoyez-nous un email Info@infinity-electronic.com
FedexDHLUPSTNT

GARANTIE APRÈS-VENTE

  1. Chaque produit de Infinity-Semiconductor.com bénéficie d’une période de garantie d’un an. Pendant cette période, nous pouvons fournir une maintenance technique gratuite en cas de problème concernant nos produits.
  2. Si vous rencontrez des problèmes de qualité concernant nos produits après les avoir reçus, vous pouvez les tester et demander un remboursement inconditionnel s’il est prouvé.
  3. Si les produits sont défectueux ou s'ils ne fonctionnent pas, vous pouvez nous le retourner dans un délai d'un an. Tous les frais de transport et de douane de la marchandise sont à notre charge.

Tags associés

Produits connexes

1N4448-T
1N4448-T
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
En stock: 5448 pcs
Télécharger: 1N4448-T.pdf
RFQ
1N4448HWT-7
1N4448HWT-7
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523
En stock: 1373188 pcs
Télécharger: 1N4448HWT-7.pdf
RFQ
1N4448-TP
1N4448-TP
Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
En stock: 4259 pcs
Télécharger: 1N4448-TP.pdf
RFQ
1N4448-A
1N4448-A
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35
En stock: 4829 pcs
Télécharger: 1N4448-A.pdf
RFQ
1N4448HWS-7-F
1N4448HWS-7-F
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
En stock: 429408 pcs
Télécharger: 1N4448HWS-7-F.pdf
RFQ
1N4448TR
1N4448TR
Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
En stock: 7158050 pcs
Télécharger: 1N4448TR.pdf
RFQ
1N4448HWS-13-F
1N4448HWS-13-F
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
En stock: 1589848 pcs
Télécharger: 1N4448HWS-13-F.pdf
RFQ
1N4448HLP-7
1N4448HLP-7
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN
En stock: 232141 pcs
Télécharger: 1N4448HLP-7.pdf
RFQ
1N4448TAP
1N4448TAP
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
En stock: 4465571 pcs
Télécharger: 1N4448TAP.pdf
RFQ
1N4448-T
1N4448-T
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35
En stock: 3195 pcs
Télécharger: 1N4448-T.pdf
RFQ
1N4448TR
1N4448TR
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
En stock: 3845645 pcs
Télécharger: 1N4448TR.pdf
RFQ
1N4448TR_S00Z
1N4448TR_S00Z
Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
En stock: 3894 pcs
Télécharger: 1N4448TR_S00Z.pdf
RFQ

Nouvelles de l'industrie

Rohm ajoute 10 mosfets SiC automobiles
«L’introduction de la série SCT3xxxxxxHR permet à Rohm d’offrir la plus grande gamme de mosfets...
ON ajoute aux MOSFET SiC
ON Semiconductor a introduit deux MOSFET SiC destinés aux applications VE, solaires et UPS. Les NVH...
APEC: TI pense latéralement à fabriquer une puce ca-cc avec une puissance de secours de 15 mW
«Cet appareil réalise le meilleur équilibre entre efficacité élevée et bruit extrêmement faib...
Contenu sponsorisé: Analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X
L'analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X est un outil très puissant et flexible pour diverses mesure...
Les dépenses en équipements de demi-fabrication devraient diminuer de 14% cette année et augmenter de 27% l’année prochaine
Stimulé par un ralentissement du secteur de la mémoire, le ralentissement économique de 2019 marq...
Power Stamp Alliance réduit la nécessité pour le processeur hôte de surveiller les unités d'alimentation et ajoute une conception de référence
L’Alliance (Artesyn Embedded Technologies, Solutions Bel Power, Flex et STMicroelectronics) a cré...
APEC: puissance SiC et outils électriques améliorés basés sur le cloud
Les capacités de recherche ont été améliorées et un menu de style carrousel permet de sélectio...
Dengrove ajoute des convertisseurs CC / CC de Recom à encombrement réduit
Ils sont conçus pour des applications nécessitant une densité de puissance élevée, un rendement...
Premier processeur Arm militaire qualifié pour les applications haute fidélité
LS1046A fait partie du portefeuille Arm Layerscape 64 bits de NXP, avec un bras Cortex-A72 quad-core...