DGD2181S8-13

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DGD2181S8-13
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Livret des spécifications:	DGD2181S8-13.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	66879 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66879 pcs

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Spécifications de DGD2181S8-13

Modèle de produit	DGD2181S8-13	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	66879 pcs	Fiche technique	DGD2181S8-13.pdf
Tension - Alimentation	10 V ~ 20 V	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	-	Rise / Fall Time (Typ)	40ns, 20ns
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms	DGD2181S8-13DITR	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Nombre de conducteurs	2	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Tension logique - VIL, VIH	0.8V, 2.5V
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Non-Inverting
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap)	600V	Type de porte	IGBT, N-Channel MOSFET
Configuration pilotée	Half-Bridge	Description détaillée	Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
Current - Peak Output (Source, Évier)	1.9A, 2.3A	courant de charge	Independent

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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