DMG4712SSS-13

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMG4712SSS-13
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC
Livret des spécifications:	DMG4712SSS-13.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	119838 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 119838 pcs

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Spécifications de DMG4712SSS-13

Modèle de produit	DMG4712SSS-13	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	119838 pcs	Fiche technique	DMG4712SSS-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SOP
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 11.2A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.55W (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	DMG4712SSS-13DICT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2296pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	45.7nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	Schottky Diode (Body)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 11.2A (Ta) 1.55W (Ta) Surface Mount 8-SOP	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	11.2A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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