DMG4N60SK3-13

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMG4N60SK3-13
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
Livret des spécifications:	DMG4N60SK3-13.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	269219 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 269219 pcs

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Spécifications de DMG4N60SK3-13

Modèle de produit	DMG4N60SK3-13	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	269219 pcs	Fiche technique	DMG4N60SK3-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-252
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)	48W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	DMG4N60SK3-13DITR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	532pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14.3nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 3.7A (Tc) 48W (Ta) Surface Mount TO-252	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.7A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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