DMJ70H600SH3

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMJ70H600SH3
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
Livret des spécifications:	DMJ70H600SH3.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	58893 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 58893 pcs

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Spécifications de DMJ70H600SH3

Modèle de produit	DMJ70H600SH3	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	58893 pcs	Fiche technique	DMJ70H600SH3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-251
Séries	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)	113W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3, IPak, Short Leads	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	643pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	18.2nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	700V
Description détaillée	N-Channel 700V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	11A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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