DMN10H220LVT-7

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMN10H220LVT-7
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Livret des spécifications:	DMN10H220LVT-7.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	141563 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 141563 pcs

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Spécifications de DMN10H220LVT-7

Modèle de produit	DMN10H220LVT-7	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	141563 pcs	Fiche technique	DMN10H220LVT-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TSOT-26
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 1.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.67W (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Autres noms	DMN10H220LVT-7DICT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	401pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.3nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 1.87A (Ta) 1.67W (Ta) Surface Mount TSOT-26	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.87A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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