Choisissez votre pays ou région.

Close
Se connecter S'inscrire Email:Info@infinity-electronic.com
0 Item(s)

DMN15H310SE-13

Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
DMN15H310SE-13 Image
L'image peut être une représentation. Voir les spécifications pour les détails du produit.

Présentation du produit

Modèle de produit: DMN15H310SE-13
Fabricant / marque: Diodes Incorporated
Description du produit MOSFET N-CH 150V 2A SOT223
Livret des spécifications: DMN15H310SE-13.pdf
État RoHS Contient du plomb / Conforme RoHS
Etat du stock 69188 pcs stock
Bateau de Hong Kong
Manière d'expédition DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 69188 pcs
Prix de référence (en dollars américains)
1 pcs
$0.481
10 pcs
$0.426
100 pcs
$0.336
500 pcs
$0.261
1000 pcs
$0.206
Demander une offre en ligne
Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur " SOUMETTRE la demande de devis ". Nous vous contacterons sous peu par courrier électronique. Ou écrivez-nous:Info@infinity-electronic.com
  • Prix cible:(USD)
  • Qté:
Total:$0.481

S'il vous plaît nous donner votre prix cible si des quantités supérieures à celles affichées.

  • Modèle de produit
  • Raison sociale
  • Nom du contact
  • Email
  • Message

Spécifications de DMN15H310SE-13

Modèle de produit DMN15H310SE-13 Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N-CH 150V 2A SOT223 État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible 69188 pcs Fiche technique DMN15H310SE-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur SOT-223
Séries - Rds On (Max) @ Id, Vgs 310 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.9W (Ta) Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA Autres noms DMN15H310SE-13DICT
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 150V
Description détaillée N-Channel 150V 2A (Ta), 7.1A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount SOT-223 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta), 7.1A (Tc)

Mode de transport

★ LIVRAISON GRATUITE VIA DHL / FEDEX / UPS SI LE MONTANT DE LA COMMANDE EST SUPÉRIEUR À 1 000 USD.
(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX www.FedEx.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL www.DHL.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
UPS www.UPS.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT www.TNT.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.

★ Le délai de livraison nécessitera 2 à 4 jours pour la plupart des pays du monde entier par DHL / UPS / FEDEX / TNT.

N'hésitez pas à nous contacter si vous avez des questions sur l'envoi. Envoyez-nous un email Info@infinity-electronic.com
FedexDHLUPSTNT

GARANTIE APRÈS-VENTE

  1. Chaque produit de Infinity-Semiconductor.com bénéficie d’une période de garantie d’un an. Pendant cette période, nous pouvons fournir une maintenance technique gratuite en cas de problème concernant nos produits.
  2. Si vous rencontrez des problèmes de qualité concernant nos produits après les avoir reçus, vous pouvez les tester et demander un remboursement inconditionnel s’il est prouvé.
  3. Si les produits sont défectueux ou s'ils ne fonctionnent pas, vous pouvez nous le retourner dans un délai d'un an. Tous les frais de transport et de douane de la marchandise sont à notre charge.

Tags associés

Produits connexes

DMN2004DWK-7
DMN2004DWK-7
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
En stock: 697754 pcs
Télécharger: DMN2004DWK-7.pdf
RFQ
DMN1150UFL3-7
DMN1150UFL3-7
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
En stock: 1021590 pcs
Télécharger: DMN1150UFL3-7.pdf
RFQ
DMN13M9UCA6-7
DMN13M9UCA6-7
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
En stock: 216415 pcs
Télécharger: DMN13M9UCA6-7.pdf
RFQ
DMN2004DMK-7
DMN2004DMK-7
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
En stock: 636215 pcs
Télécharger: DMN2004DMK-7.pdf
RFQ
DMN2004DWKQ-7
DMN2004DWKQ-7
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363
En stock: 752654 pcs
Télécharger: DMN2004DWKQ-7.pdf
RFQ
DMN13H750S-7
DMN13H750S-7
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
En stock: 480673 pcs
Télécharger: DMN13H750S-7.pdf
RFQ
DMN1260UFA-7B
DMN1260UFA-7B
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3
En stock: 1765497 pcs
Télécharger: DMN1260UFA-7B.pdf
RFQ
DMN15H310SK3-13
DMN15H310SK3-13
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252
En stock: 431749 pcs
Télécharger: DMN15H310SK3-13.pdf
RFQ
DMN16M9UCA6-7
DMN16M9UCA6-7
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6
En stock: 249956 pcs
Télécharger: DMN16M9UCA6-7.pdf
RFQ
DMN2004K-7
DMN2004K-7
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3
En stock: 1119772 pcs
Télécharger: DMN2004K-7.pdf
RFQ
DMN13H750S-13
DMN13H750S-13
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
En stock: 534070 pcs
Télécharger: DMN13H750S-13.pdf
RFQ
DMN1250UFEL-7
DMN1250UFEL-7
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
En stock: 83683 pcs
Télécharger: DMN1250UFEL-7.pdf
RFQ

Nouvelles de l'industrie

Rohm ajoute 10 mosfets SiC automobiles
«L’introduction de la série SCT3xxxxxxHR permet à Rohm d’offrir la plus grande gamme de mosfets...
ON ajoute aux MOSFET SiC
ON Semiconductor a introduit deux MOSFET SiC destinés aux applications VE, solaires et UPS. Les NVH...
APEC: TI pense latéralement à fabriquer une puce ca-cc avec une puissance de secours de 15 mW
«Cet appareil réalise le meilleur équilibre entre efficacité élevée et bruit extrêmement faib...
Contenu sponsorisé: Analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X
L'analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X est un outil très puissant et flexible pour diverses mesure...
Les dépenses en équipements de demi-fabrication devraient diminuer de 14% cette année et augmenter de 27% l’année prochaine
Stimulé par un ralentissement du secteur de la mémoire, le ralentissement économique de 2019 marq...
Power Stamp Alliance réduit la nécessité pour le processeur hôte de surveiller les unités d'alimentation et ajoute une conception de référence
L’Alliance (Artesyn Embedded Technologies, Solutions Bel Power, Flex et STMicroelectronics) a cré...
APEC: puissance SiC et outils électriques améliorés basés sur le cloud
Les capacités de recherche ont été améliorées et un menu de style carrousel permet de sélectio...
Dengrove ajoute des convertisseurs CC / CC de Recom à encombrement réduit
Ils sont conçus pour des applications nécessitant une densité de puissance élevée, un rendement...
Premier processeur Arm militaire qualifié pour les applications haute fidélité
LS1046A fait partie du portefeuille Arm Layerscape 64 bits de NXP, avec un bras Cortex-A72 quad-core...