DMN2016LHAB-7

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMN2016LHAB-7
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Livret des spécifications:	DMN2016LHAB-7.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	416922 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 416922 pcs

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Spécifications de DMN2016LHAB-7

Modèle de produit	DMN2016LHAB-7	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	416922 pcs	Fiche technique	DMN2016LHAB-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA	Package composant fournisseur	U-DFN2030-6
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5 mOhm @ 4A, 4.5V
Puissance - Max	1.2W	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	6-UDFN Exposed Pad	Autres noms	DMN2016LHAB-7DITR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1550pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
type de FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	20V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.5A 1.2W Surface Mount U-DFN2030-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7.5A

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Après vente
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