DMN2400UFB4-7

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMN2400UFB4-7
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
Livret des spécifications:	DMN2400UFB4-7.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	222477 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 222477 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.155

10 pcs: $0.14

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Spécifications de DMN2400UFB4-7

Modèle de produit	DMN2400UFB4-7	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	222477 pcs	Fiche technique	DMN2400UFB4-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	X2-DFN1006-3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 600mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	470mW (Ta)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	3-XFDFN	Autres noms	DMN2400UFB4-7DIDKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 16V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	N-Channel 20V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	750mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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