DMN3135LVT-7

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMN3135LVT-7
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Livret des spécifications:	DMN3135LVT-7.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	195840 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 195840 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de DMN3135LVT-7

Modèle de produit	DMN3135LVT-7	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	195840 pcs	Fiche technique	DMN3135LVT-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Package composant fournisseur	TSOT-26
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.1A, 10V
Puissance - Max	840mW	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Autres noms	DMN3135LVT-7DICT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	305pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4.1nC @ 4.5V
type de FET	2 N-Channel (Dual)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 840mW Surface Mount TSOT-26
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.5A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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