DMN4800LSSL-13

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMN4800LSSL-13
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
Livret des spécifications:	DMN4800LSSL-13.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	156895 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 156895 pcs

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Spécifications de DMN4800LSSL-13

Modèle de produit	DMN4800LSSL-13	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	156895 pcs	Fiche technique	DMN4800LSSL-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 8A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.46W (Ta)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	DMN4800LSSL-13DIDKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	798pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 8A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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